台北内存模块导热绝缘片生产厂 率先实现下一代存储器“FRAM”的实用化：脱离以往产品的延续，创造前所未有的新附加价值 ，对从事制造的企业来说是个十分重要的课题。具有高新特性的半导体设备蕴藏着解决这些散热问题的机会和可能性，作为这种半导体设备之一的就是目前倍受电子行业关注的“下一代存储器”，它被誉为是NAND型闪存的后继者。

        目前各大半导体元件的制造厂商都在加紧开发诸如“MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻存储器）”、“PRAM（Phase Change Random Access Memory：相变存储器-导热相变化材料）”、“ReRAM（Resistance Random Access Memory：变阻存储器）”等各种下一代存储器，FRAM的性能与过去的闪存和EEPROM非易失性存储器相比，更为卓越。例如存储元件的耗电量不到EEPROM的1/1,000，而擦写时间只有其1/70,000左右，也就是说，擦写的速度之快可与SRAM相媲美，而且擦写保证次数更是多得令人瞠目。一般来说，EEPROM及闪存的擦写保证次数为100万次 左右，而FRAM的擦写保证次数却高达100亿次～1兆次。

        下一代存储器“FRAM”在擦写时间、擦写次数、耗电量等基本性能方面都超越了现有的非易失性存储器。在电子行业的存在感不断增强。其原因是由于越来越多的用户开始关注FRAM和现有非易失性存储器不同的特征，在智能电网、医疗体系、工厂自动化等各种领域选用FRAM产品。

        此外FRAM还有其独到之处，其中之一是几乎不受放射线的影响。过去的非易失性存储器依靠电荷的有无来存储数据，在受到放射线辐射时，电荷有可能受到影响而致使数据发生变化。TIF100 系列 导热硅胶片，导热绝缘片是填充发热器件和散热片或内存条金属底座之间的空气间隙，它们的柔性、弹性特征使其能够用于覆盖非常不平整的表面。热量从分离器件或整个PCB传导到金属外壳或存储器的扩散板上，从而能提高发热电子组件的效率和使用寿命。与之相比，FRAM是利用导热绝缘材料所具有的极化特性来存储数据的，因此即使受到放射线的辐射，存储的数据也不会损坏，而且无法从元件的外部掌握晶体极化的方向，故难以从外部不正当地读取存储的数据，这意味着FRAM在信息安全方面也是十分有利的元件。